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    是利用LSI制造工藝把壓力傳感器制造到LSI上形成的（參閱本站報道），與該公司此前發(fā)布的3.4mm見方的試制品相比，體積大幅縮小。該公司正在探討利用150mm晶圓生產(chǎn)線的量產(chǎn)事宜。

    將尺寸由3.4mm見方縮小到1.9mm見方的理由有二。一是在LSI的正上方形成壓力傳感器。原來的試制品雖然層積了LSI及壓力傳感器，但由于要優(yōu)先確立核心技術(shù)，因此為了不在LSI的正上方層疊壓力 傳感器，只好沿水平方向錯位形成。另一點是此次削減了壓力傳感器部分留數(shù)字壓力開關(guān)有的多余空間。留有空間的理由是為了配備壓力傳感器以外的傳感器。

    另外，日立此次還介紹了可通過改變隔膜（承受壓力后彎曲的薄膜部）尺寸，改變檢測壓力靈敏度的技術(shù)。利用該技術(shù)，可使集成型壓力傳感器的設(shè)計及制造工藝實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化，還可將達(dá)到通用水平 的集成型壓力傳感器應(yīng)用于多種用途。